Новый метод переносит целую двумерную микросхему на любую гладкую поверхность
Москва, 11:57, 07 Дек 2018, редакция FTimes.ru, автор Евгения Ковалева.
Команда исследователей из Райсовского университета, работавшая под руководством Пуликеля Аджаяна и Джуна Лоу, создала методику производства датчиков атомарной толщины, органично встраиваемых в устройства.
Электронно-активные 2D-материалы рассматриваются исследователями с момента открытия графена в 2004-м, сообщает eurekalert.org. Но, несмотря на прочность, их сложно перенести на нужное место, не разрушив. Группы Аджаяна и Лоу, вместе с лабораторией Джейкоба Робинсона, нашли новый способ удерживать материалы и сделанные из них микросхемы вместе при переносе на изогнутые или гладкие поверхности. Результаты исследования представлены в ACS Nano.
Команда протестировала концепцию, создав фотодатчик из селенида индия с золотыми электродами, толщиной 10 нм. Его поместили на оптоволокно. Из-за компактности сенсор ближнего поля эффективно сочетался с затухающим полем и эффективно определял поток информации в материале. Польза в том, что датчик можно встраивать в различные волокна, где они будут следить за процессом, не утяжеляя конструкцию и не влияя на сигнал.
«Эта статья предлагает несколько интересных возможностей использования 2D-устройств в реальных системах, — сказал Лоу. – Например, для выявления повреждений на подводных оптоволоконных линиях».
Ученые уже освоили перенос двумерных материалов с одной поверхности на другую. Но добавление электродов и других компонентов усложняет процесс.
«Представьте транзистор, — сказал Лоу. – Он состоит из многих элементов и различных материалов, которые нужно правильно соединить».
Двумерное сырье обычно переносится на слое полиметилметакрилата или плексигласа. Исследователи использовали эту технику, добавив полидиметилглутаримид в качестве основы. ПМГИ оказался совместимым с различными 2D-материалами.
Пока райсовские исследователи создали только пассивные датчики. Но они уверены, что техника подойдет для получения активных сенсоров, телекоммуникационных и других устройств.
