Иранские ученые применяют технологию плазменного фокуса для получения наноматералов

Москва, 15:49, 17 Ноя 2015, редакция FTimes.ru, автор Сергей Кузнецов.

Иранские ученые использовали новый метод, заключающийся в применении устройства плазменного фокуса для получения наноструктурированных пленок из оксида цинка, используемых в датчиках, фильтрах и фотоэлементах.

Группа иранских исследователей использовала новый метод получения наноструктурных пленок в короткий промежуток времени при комнатной температуре.

В данном исследовании изучалось влияние толщины на электронные и оптические свойства пленок. Оксид цинка является предпочтительным вариантом для оптических устройств с низкой длиной волн. Структуры на основе оксида цинка также имеют применение в различных аспектах, таких как УФ-детекторы, датчики, фильтры и солнечные элементы.

Исследование проводилось с целью изучения влияния способа производства и связанных с ним параметров на внешний вид, структурные, оптические и электрические свойства тонких пленок оксида цинка. Учеными были предприняты усилия для оценки производства тонкой пленки оксида цинка при комнатной температуре с использованием устройства плазменного фокуса.

Использование плазменного фокуса для получения тонких пленок в последнее время становится популярным. Этот метод основан на распылении наночастиц цинка и их химическую реакцию с ионами кислорода, созданные горячей плазмой, в результате распада кислорода внутри устройства плазменного фокуса.

Отсутствие необходимости подогрева, является одним из уникальных свойств этой методики. Рост слоя до значительной толщины и адгезии в короткие сроки — еще одно преимущество. Это считается проблемой роста слоев для многих других методов осаждения.

По словам исследователей, результаты показали, что тонкие пленки оксид цинка могут быть выращены до желательной толщины с помощью этого метода.